要旨認定

　サポート要件違反とした無効審決が取り消されました。
　前記（２(1)〜(3)）のとおり，本件各発明は，焼鈍分離剤用の酸化マグネ シウム及び方向性電磁鋼板に関するものであるところ，方向性電磁鋼板の磁 気特性及び絶縁特性，並びに市場価値は，脱炭焼鈍により鋼板表面に SiO2被 膜を形成し，その表面に焼鈍分離剤用酸化マグネシウムを含むスラリーを塗＼n布して乾燥させ，コイル状に巻き取った後に仕上げ焼鈍することにより， SiO2 と MgO が反応して形成されるフォルステライト（MgSiO4）被膜の性能，＼n具体的には，その生成しやすさ（フォルステライト被膜生成率），被膜の外 観及びその密着性並びに未反応酸化マグネシウムの酸除去性の４点に左右さ れるものであり，このフォルステライト被膜の性能は，これを形成する焼鈍＼n分離剤用酸化マグネシウムの性能に依存するものということができる。＼nそこで，焼鈍分離剤用酸化マグネシウム及びこれに含有される微量成分 についての研究が行われ，複数の物性値を制御し，フォルステライト被膜の 形成促進効果を一定化させ，かつフォルステライト被膜の品質を改善する試 みが多く行われてきたが，焼鈍分離剤用酸化マグネシウムに課せられた要求 を完全に満たす結果は得られていない。 このような状況の下，本件各発明は，磁気特性及び絶縁特性，更にフォ ルステライト被膜生成率，被膜の外観及びその密着性並びに未反応酸化マグ ネシウムの酸除去性に優れたフォルステライト被膜を形成でき，かつ性能が＼n一定な酸化マグネシウム焼鈍分離剤を提供すること，更に本件各発明の方向 性電磁鋼板用焼鈍分離剤を用いて得られる方向性電磁鋼板を提供することを 目的としたものである。
(3) 検討
ア 本件各発明は，上記のとおり，方向性電磁鋼板に適用される焼鈍分離剤 用酸化マグネシウム粉末粒子を提供するものであるところ，本件課題を 解決するための手段として，焼鈍分離剤用酸化マグネシウム中に含まれ る微量元素の量を，Ca，P 及び B の成分の量で定義し，更に Ca，Si，P 及 び S のモル含有比率により定義して（前記２(4)イ），本件特許の特許請求 の範囲請求項１に記載された本件微量成分含有量及び本件モル比の範囲 内に制御するものである。 そして，焼鈍分離剤用酸化マグネシウムに含有される上記各微量元素 の量を本件微量成分含有量及び本件モル比の範囲内に制御することによ り，本件課題を解決し得ることは，本件明細書記載の実施例（１〜１９） 及び比較例（１〜１７）の実験データ（前記２(5)〜(11)）により裏付けら れているということができる。 そうすると，当業者であれば，本件明細書の発明の詳細な説明の記載 に基づき，焼鈍分離剤用酸化マグネシウムにおいて，本件特許の特許請 求の範囲請求項１に記載のとおり Ca，P，B，Si 及び S の含有量等を制御 することによって本件課題を解決できると認識し得るものということが できる。
・・・
これらの記載によれば，焼 鈍分離剤用酸化マグネシウムの CAA とサブスケールの活性度とのバラ ンスが取れていない場合，フォルステライト被膜は良好に形成されない こととなるのは事実であるといえる。
(ｲ) しかし，本件明細書の発明の詳細な説明の記載から把握し得る発明 は，焼鈍分離剤用酸化マグネシウムに含有される Ca，Si，B，P，S の含 有量に注目し，それらの含有量を増減させて実験（実施例１〜１９及 び比較例１〜１７）を行うことにより，最適範囲を本件特許の特許請 求の範囲請求項１に規定されるもの（本件微量成分含有量及び本件モ ル比）に定めたというものである。その理論的根拠は，Ca，Si，B，P 及び S の含有量を所定の数値範囲内とすることにより，ホウ素が MgO に侵入可能な条件を整えたことにあると理解される（本件明細書の＼n【００１６】。前記２(4)カ）。
他方，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を見ても，CAA 値を調 整することにより本件課題の解決を図る発明を読み取ることはできない。 むしろ，これらの記載によれば，本件明細書の発明の詳細な説明中に CAA 値に関する記載があるのは，第１の系統及び第２の系統それぞれ において，実施例及び比較例に係る実験条件が CAA 値の点で同一であ ることを示すためであって，フォルステライト被膜を良好にするために CAA 値をコントロールしたものではないことが理解される。 そして，CAA の調整は，最終焼成工程の焼成条件により可能である＼n（特開平９−７１８１１号公報（甲７）「この発明の MgO では４０％ クエン酸活性度を３０〜９０秒の範囲とする。…かかる水和量，活性度 のコントロールは最終焼成の焼成時間を調整することにより行う。」 （【００２６】）との記載参照。）から，焼鈍分離剤用酸化マグネシウ ムにおいて，本件微量成分含有量及び本件モル比のとおりに Ca，P，B， Si 及び S の含有量等を制御し，かつ，焼成条件を調整することによって， 本件各発明の焼鈍分離剤用酸化マグネシウムにおいても，実施例におけ る１１０〜１４０秒以外の CAA 値を取り得ることは，技術常識から明 らかといってよい。 したがって，本件審決は，本件各発明の課題が解決されているのは CAA４０％が前記数値の範囲内にされた場合でしかないと判断した点に おいて，その前提に誤りがある。
(ｳ) そもそも，本件明細書によれば，本件特許の出願当時，焼鈍分離剤 用酸化マグネシウムについては，被膜不良の発生を完全には防止でき ていないことなど，十分な性能＼を有するものはいまだ見出されておら ず，焼鈍分離剤用酸化マグネシウム及び含有される微量成分について 研究が行われ，制御が検討されている微量成分として CaO，B，SO3，F， Cl等が挙げられ，また，微量成分の含有量だけでなく，微量成分元素を 含む化合物の構造を検討する試みも行われていたことがうかがわれる＼n（前記２(2)）。
・・・・
そうすると，本件特許の出願当時，フォルステライト被膜の性能改善＼nという課題の解決を図るに当たり，焼鈍分離剤用酸化マグネシウムに含 有される微量元素の含有量に着目することと，CAA 値に着目すること とが考えられるところ，当業者にとって，いずれか一方を選択すること も，両者を重畳的に選択することも可能であったと見るのが相当である＼n（なお，微量元素の含有量に着目する発明にあっても，焼鈍分離剤用酸 化マグネシウムの CAA 値とサブスケールの活性度とのバランスが取れ ていない場合には，その実施に支障が生じる可能性があることは前示の＼nとおりであるが，この点の調整は，甲１，５〜７，６７，乙４等によっ て認められる技術常識に基づいて，当業者が十分に行うことができるも＼nのと認められる。）。
(ｴ) 以上を総合的に考慮すると，当業者であれば，本件明細書の発明の 詳細な説明には，本件微量成分含有量及び本件モル比を有する焼鈍分 離剤用酸化マグネシウムにより本件課題を解決し得る旨が開示されて いるものと理解し得ると見るのが相当である。
ウ 以上によれば，CAA 値について何ら特定がない酸化マグネシウムにお いて，本件微量成分含有量及び本件モル比のみの特定をもってしては， 直ちに本件課題を解決し得るとは認められないとした本件審決には誤り があるというべきである。

◆判決本文

　コンピュータにおける処理について、クレームの”記憶装置”には、揮発性のＲＡＭは含まないとして、審決を取り消しました。　
　審決は，本願発明の「記憶装置」は，その記憶するデータ内容や記憶構造を限定しない「記憶装置」と捉えることができることから，引用発明の「主記憶装置」に相当するとして一致点を認定した。しかし，前記１(2)及び(3)ウで判示したとおり，本願発明の「記憶装置」は，システム内に含まれ，ファイル・システムを含む記憶装置であるところ（請求項１），本願明細書の発明の詳細な説明に照らして，その技術的意義を理解すると，ハード・ディスク等の不揮発性の大容量記憶手段であり，少なくとも揮発性のＲＡＭはこれに含まれないものと解される。これに対し，引用発明の「主記憶装置」は，「オペレーティングシステムおよびアプリケーションプログラムをプログラム格納手段から読み出して一時的に記憶する揮発性の主記憶装置」（【請求項１】）で，【発明の実施の形態】の図１の「ＲＡＭ１０３」（【００３７】）に相当するものであって，「ＲＡＭ１０３はＣＰＵ１０１がプログラムを実行するとき，必要なデータを一時的に記憶させる作業領域として使用される揮発性の記憶装置であり，例えばＤＲＡＭからなる。」（【００３８】）と記載されており，ファイル・システムによって，プログラム等のファイルをフォルダやディレクトリを作成することにより管理したり，ファイルの移動や削除等の操作方法を定めたりすることは記載されていない。そうすると，本願発明の「記憶装置」と，引用発明の「主記憶装置」は相違するものであるから，両者を一致するとした審決の認定は誤りである。そして，引用発明が，「プログラム起動時，起動時間を短縮できる演算装置および演算装置を利用した電子回路装置を提供することを目的」（【００１５】）とし，前回終了時に，主記憶装置に記憶されているデータを不揮発性記憶装置に待避させ，演算装置の再起動時に，当該データを主記憶装置に転送することによって，前回の電源オフ時のオペレーティング・システム及びアプリケーション・プログラムの実行状態を再現するものであることからすれば，引用発明における演算装置の再起動時の不揮発性装置からのデータの転送先は，必ず主記憶装置でなければならず，引用発明における揮発性の「主記憶装置」をファイル・システムを含む不揮発性の記憶装置に置き換えることには阻害要因があるというべきである。したがって，審決には，「記憶装置」に関して，本願発明は「ファイル・システム」が含まれる不揮発性の記憶装置であるのに対し，引用発明は，揮発性の「主記憶装置」であるという相違点を看過した誤りがあり，同相違点の看過は，容易想到性の判断の結論を左右するものである。
(3) 被告の主張について
被告は，請求項１を引用する請求項５には，揮発性か不揮発性か限定されていない「固形メモリ装置」（solid state memory），すなわち，ＲＡＭのように揮発性だが高速な固形メモリ装置，及び，メモリカードのように不揮発性だが低速の固形メモリ装置の双方が含まれることが記載されているから，本願発明の「記憶装置」にはあらゆる記憶装置が含まれる旨主張する。しかし，そもそも本願明細書には，「固形メモリ装置」について，「ＲＡＭのように揮発性だが高速な固形メモリ装置」が含まれるとの記載はないから，被告の主張は理由がない。

◆判決本文

　36条違反とした審決が取り消されました。
　前記本件審決は，ａ及びｂの各記載部分においては，本件発明１の要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従い，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構＼成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」と記載しているものの，これに続く部分では何らの根拠も示さないまま，請求項及び明細書の記載について，本件訂正を認めているにもかかわらず，本件発明１の発明特定事項から，「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」る点を除外し，本件発明１を「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子」と言い換え，その後は，ｈの記載部分に至るまで一貫して，本件発明１が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構＼成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」であることを前提に，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるか否か，すなわち，実施可能＼要件を充たすものであるか否かを判断している。
以上によれば，本件審決は，本件発明１の要旨を，その発明特定事項から「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」を備える点を除外した構成，すなわち，「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構＼成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子」と認定し，これを前提に本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充たすものであるか否かを判断しているといえる。 一方，本件発明１の要旨は，前記イ求項１の記載，すなわち，その発明特定事項に基づいて，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構＼成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子」であると認められるから，本件審決は，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１について実施可能要件を充たすものであるか否かを判断するに際し，本件発明１の要旨の認定を誤ったものというべきである。 ところで，本件審決は，前記のとおり，形式的には，本件発明１の要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従って記載した上で，その「特徴的構成」が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構＼成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」であるとして，当該構成について，実施可能＼要件を判断している。 前記イ認定のとおり，本件発明１は，ＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎの組成比を大きくするか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能であるが，ＬＥＤ素子には発光波長が長くなるに従って発光出力が大きく低下するという問題があり，また，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層には，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力が大きく低下するという問題があったことから，本件発明１は，上記課題を解決し，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現することを目的とし，その解決手段として本件訂正後の請求項１記載のとおりの構＼成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を奏するものである。＼nそして，本件明細書の段落【００３７】の「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０−６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０−６／Ｋであることが知られている。ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数の順序はＩｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。」との記載によれば，熱膨張係数の順序は，ＩｎＧａＮ＞ＡｌＧａＮとなること，段落【００３９】及び【００４０】の記載によれば，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有する従来の窒化物半導体発光素子では，Ａｌを含むクラッド層が結晶の性質上非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことから，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じるという傾向があったが，本件発明１では，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成し，この第１のｎ型クラッド層５が，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用し，活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察され，活性層の膜厚が薄い状態においても活性層の結晶性が良くなるので，発光出力が増大するとされていることからすれば，本件発明１が「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」を備える点は，その発明の特徴を構＼成するものであるというべきであり，これを「特徴的構成」から除外する点においても，本件審決の上記認定は誤りであるといわざるを得ない。＼n

◆判決本文

　実施可能要件違反ありとした審決が取り消されました。
　本件発明は，「約３５．７〜約５０．０重量％のペンタフルオロエタンと約６４．３〜約５０．０重量％のジフルオロメタンとからなり，３２°Ｆにて約１１９．０psia の蒸気圧を有する，空調用又はヒートポンプ用の冷媒としての共沸混合物様組成物。」と特定されており，「空調用又はヒートポンプ用の冷媒としての共沸混合物様組成物」が「３２°Ｆにて約１１９．０ psia の蒸気圧を有する」ことが明確に特定されているため，これが訂正前の請求項１の発明と全く同一内容の発明であるということはできず，訂正に伴う相応の変更があったものといわざるを得ない。しかしながら，本件発明は，訂正前と同様，共沸混合物様組成物に関するものであって，本件訂正明細書の発明の詳細な説明に記載された発明の技術的意義についても，訂正前と実質的な変更はないものというべきであるが，本件訂正による特許請求の範囲の減縮は，発明の用途を限定するとともに，ペンタフルオロエタンとジフルオロメタンからなる組成物の組成範囲を減縮することを目的としてされているものの，後段記載の部分がそのまま維持されたこともあって，前段記載と後段記載の矛盾関係が発生したものといえる。そうであれば，本件訂正後の本件発明は，発明の用途や組成範囲が限定された点を除けば，本件訂正前の発明と基本的に同一であるが，本件訂正明細書の発明の詳細な説明を参照しつつ，上記のような矛盾が生じないように解釈すべきであるから，「空調用又はヒートポンプ用の冷媒としての組成物であり，約３５．７〜約５０．０重量％のペンタフルオロエタンと約６４．３〜約５０．０重量％のジフルオロメタンからなり，３２°Ｆにて約１１９．０ psia の蒸気圧を有する共沸混合物のような組成物」（ここで「共沸混合物のような組成物」とは「共沸混合物のように挙動する組成物」であるという意義）であると解するのが相当である。すなわち，本件発明の後段における蒸気圧の記載は，「真の共沸混合物」が有する属性を記載したものにすぎないと解すべきであって，本件訂正明細書の発明の詳細な説明を参照した当業者であれば，本件発明が上記認定どおりの組成物であると理解することができるものと認められる。そして，前記アで検討したとおり，本件訂正明細書には，本件発明の特徴について記載されており，当業者がこれらの記載を見れば，本件発明が「空調用又はヒートポンプ用の冷媒としての組成物であって，約３５．７〜約５０．０重量％のペンタフルオロエタンと約６４．３〜約５０．０重量％のジフルオロメタンとからなり，『３２°Ｆにて約１１９．０ psia という真の共沸混合物の蒸気圧を有する，共沸混合物』のように挙動する組成物」であるものと理解し，その旨実施することができるものと認められる。したがって，本件発明の前段記載と後段記載とは実質的に矛盾するものではなく，両者が矛盾するものであると解釈し，これを根拠に本件発明につき実施可能要件違反があるとした審決の認定判断には誤りがある。・・・エ 被告は，最高裁平成３年３月８日判決（いわゆるリパーゼ事件判決）を引用して，請求項１の後段の「３２°Ｆにて約１１９．０ psia の蒸気圧」について，それが誤記であるとしても，それは同判決が判示するような「一見して誤記であることが明らかな場合」には当たらないと主張し，また，誤記ではないとしても，「特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができない」場合にも当たらないと主張するので，念のために，所論の判例との関係につき付言することとする。上記判示のとおり，本件発明の請求項１の文言は，前段では，組成物の物質の名称が特定の数値（重量パーセント）とともに記載され，後段では，特定の温度における特定の数値の蒸気圧が記載されており，それぞれの用語自体としては疑義を生じる余地のない明瞭なものであるが，組成物の発明であるから，構成としては前段の記載で必要かつ十＼分であるのに，後者は，さらにこれを限定しているようにも見えるものの，真実，要件ないし権利の範囲として更に付された限定であるとすれば，その帰結するところ，権利範囲が極めて限定され，特許として有用性がほとんどない組成物となり，極限的な，いわば点でしか成立しない構成の発明であるという不可思議な理解に，当業者であれば容易に想到することが必定である。そうすると，本件発明の請求項１の記載に接した当業者は，前段と後段との関係，特に後段の意味内容を理解するために，明細書の関係部分の記載を直ちに参照しようとするはずである。そうであってみれば，本件発明の請求項１の記載に接した当業者は，後段の「３２°Ｆにて約１１９．０ psia の蒸気圧を有する」の記載に接し，その技術的な意義を一義的に明確に理解することができないため，明細書の記載を参照する必要に迫られ，これを参照した結果，その意味内容を上記判示のように理解するに至るものということができる。したがって，本件発明の請求項１の解釈に当たって明細書の記載を参照することは許され，上記の判断には，所論のような，判例の趣旨に反するところはなく，被告のこの点に関する主張は採用することができない。(3) 以上のとおり，本件発明における請求項１の「３２°Ｆにて約１１９．０ psiaの蒸気圧を有する」との記載（後段記載）は，「真の共沸混合物が有する蒸気圧」を記載したにとどまり，本件発明の対象はあくまで「約３５．７〜約５０．０重量％のペンタフルオロエタンと約６４．３〜約５０．０重量％のジフルオロメタン」との組成範囲の記載（前段記載）によって定まると解釈すべきことになるから，本件発明の前段記載と後段記載は実質的に矛盾しないことになり，本件特許には，審決が説示したような実施可能要件違反はない。＼n

◆判決本文

　　３６条の要件を満たさないとして補正を却下した審決が、取り消されました。
　「前記第２の３(1)のとおり，審決は，「補正事項２に記載された『顔面接触部』は『端部領域(15)(30)』に相当し，『顔面接触部の隣接部分』は『後部領域(16)(31)』に相当するものと解することができるのに対し，補正事項１に記載された『顔面接触部』は，『後部領域(16)(31)』を意味するか，『後部領域(16)(31)』及び『端部領域(15)(30)』から成るものを意味するかのいずれかであるから，補正事項１に記載された『顔面接触部』と同２に記載された『顔面接触部』の意味が整合しておらず，したがって，本願第１補正発明における『顔面接触部』の意味は，不明確である。そうすると，本件第１補正は，請求項１に係る発明を不明確にする補正であって，特許法１７条の２第４項所定の事項を目的とするものではない。仮に，本件第１補正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても，本願は，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。」旨説示して，本件第１補正を却下した。
　　イ　しかしながら，補正事項１及び２に記載された「顔面接触部」が「顔面接触部全体（「端部領域(15)(30)」及び「後部領域(16)(31)」を含むもの）を指すことは，前記(1)イ及びオのとおりであるから，本願第１補正発明における「顔面接触部」の意義は明確であるといえる。そうすると，本件第１補正を却下した審決の上記判断は誤りであるから，同補正を却下した結果，本願の請求項１に係る発明の要旨を，本件原補正後の請求項１の記載に基づいて認定した審決には，発明の要旨認定を誤った違法があるといわざるを得ない。」

◆平成19(行ケ)10332　審決取消請求事件　特許権行政訴訟　平成20年08月06日　知的財産高等裁判所

　 ＣＳ関連発明についての記載不備が争われました。争点は、「一括変換して再登録する再登録手段」について技術的な矛盾があるかでした。裁判所は、３６条４項及び６項違反とした審決を取り消しました。
　

◆H16.12.27 東京高裁 平成16(行ケ)209 特許権 行政訴訟事件